전자공학에서, 짧은 채널 효과는 채널 길이가 소스와 배수 접합부의 고갈층 폭과 유사한 MOSFET에서 발생한다. 이러한 영향에는 특히 배수 유도 장벽 하강, 속도 포화, 양자 구속 및 고온 반송파 열화가 포함된다.[1][2]
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