린라니잉

Lin Lanying
이 중국식 이름에서 성은 린이다.
린라니잉
태어난1918년 2월 7일
푸톈 시 푸젠 시
죽은2003년 3월 4일
국적중국어
모교
로 알려져 있다.중국 최초의 단결정 실리콘과 갈륨 비소
수상
  • CAS S&T 진행상
  • 헨리 포크상
과학 경력
필드재료공학
기관반도체 CAS 연구소

린란잉(林南英, 1918년 2월 7일 ~ 2003년 3월 4일)은 중국의 전기 엔지니어, 재료 과학자, 물리학자, 정치가였다.그녀는 중국에서 "항공우주 재료의 어머니" 그리고 "반도체 재료의 어머니"로 불린다.[1][2][3]

1957년 중국으로 돌아와 CAS 물리연구소 연구원이 되었다.그 후 그녀는 반도체 CAS 연구소로 옮겨 그곳에서 연구 생활을 보냈다.

그녀의 많은 기여 중에는 중국 최초의 단결정 실리콘 제조와 중국에서 실리콘 추출에 사용되는 최초의 단결정 용해로 제조가 포함된다.그녀는 마이크로 전자와 광전자 분야에서 발전의 기초를 닦았다.그녀는 고정화 증기 단계와 액체 단계에서 광범위한 물질을 개발하는 일을 담당했고 중국을 세계 지도자로 이끌었다.

그녀는 중국과학아카데미 아카데미로 영예를 안았고 중국과학기술협회 부회장이 되었다.국민S&T진행상을 두 번, CASS&T진행상 1등은 네 번 받았다.[citation needed]1998년에 그녀는 헨리 포크 공로상을 받았다.정치 분야에서는 전국인민대표대회 부대표와 상무위원으로 발탁됐다.

초년기

린은 중국 남부 푸젠 성 푸톈 시에서 태어났다.

린란잉은 600년 전 명나라로 거슬러 올라갈 수 있는 크고 명망 있는 집안에서 태어난 첫 아이였다.[1][3][2]그녀의 언니들은 아이 신부가 되거나 살해당했다.그녀가 6살이 되기 전에, 래닝은 온 가족을 위해 옷을 빨고 요리를 해야 했다.

그녀의 조상인 린런은 명나라 때의 제국 검열관이었다.이것은 다른 공무원들을 통제하고 감독하는 공식적인 자리였다.그의 경력 동안 그는 국가 권위에 도전하는 두 명의 영향력 있는 사람과 마주쳤다.황제가 이 두 도전자를 상대하는 것을 도와줌으로써 황제는 그에게 돈을 주고 푸티안에 집을 지으라고 하였는데, 이 집을 지금은 린런의 옛집이라고 한다.린은 모두 이 집에서 태어나 자랐다.[4]

교육

여섯 살 때 그녀는 하루 종일 다른 여자들과 집안일이나 잡담보다는 학교에 가고 싶었다.유일한 탈출구는 교육을 통해서였다.그녀의 어머니는 중국의 사회적 성규범에 깊은 영향을 받아 교육을 받지 못하게 했다.린은 자기 방에 틀어박혀 학교에 가는 것이 허락되지 않으면 먹지 않겠다고 맹세했다.어머니는 그녀의 고집에 감동했고, 마침내 리칭 초등학교에 입학할 수 있도록 허락했다.[citation needed]린은 종종 그녀의 반에서 최고의 성적을 받았으며, 그녀는 모든 세탁과 요리를 해야 했다.그리고 나서 그녀는 종종 새벽 12시까지 공부를 하게 되었다.그녀는 요리하기 위해 일어나서 학교에 갔다.6시간 자는 그녀의 습관은 일생 동안 계속되었다.

그녀는 리칭 중학교에 진학하기 위해 비슷한 싸움을 했다.그녀의 어머니는 여성으로서 문맹은 중요하지 않다고 말했다.그녀는 공부하는 데 돈이 필요하지 않으면 갈 수 있다고 어머니를 설득했다.이 중학교는 매 학기 성적이 가장 좋은 학생에게 장학금을 지급했다.린은 매 학기마다 장학금을 받았다.

중학교를 마친 후, 그녀는 푸티안 고등학교에 입학했다.그녀의 어머니는 중학교 때 성공했기 때문에 마침내 그녀의 학업을 받아들였다.하지만 린은 이 학교에 1년밖에 머물지 못했다.일본은 중국과 전쟁을 벌였고 많은 중국인들을 죽였다.많은 학생들이 화가 나서 일본을 보이콧하기 위해 많은 퍼레이드를 했다.많은 일본 군인과 요원들이 중국에 있었기 때문에 퍼레이드는 진압되었고 몇몇 학생들은 살해되었다.린은 하미 엘튼 스쿨이라는 여자 학교로 전학을 갔다.그녀의 선생님 중 한 명은 미국에서 왔고 중국어를 잘 할 수 없었기 때문에 많은 반 친구들이 그의 수업을 이해하지 못했다.린은 조수로 선생님을 도왔다.선생님이 영어로 무언가를 가르치면, Lanying Lin이 번역을 하곤 했다.이 때문에 그녀는 '작은 교사'라고 불렸다.

그녀는 당시 중국 최고의 대학이었던 후쿠이엔 기독교 대학에서 공부를 계속했다.[citation needed]그녀는 22살에 물리학 학사 학위를 받고 반에서 최고 중 한 명으로 졸업했다.그녀는 대학에서 8년,[5] 4년 동안 조교로 일하며 기계학과 같은 기본적인 과정을 가르쳤다.그녀의 첫 번째 책은 '광학 실험 과정'이었고 교수로서 자격증을 취득했다.

미국의 교육

후쿠이엔기독교대는 당시 뉴욕대와 교류 프로그램이 있었고 2년 이상 근무한 많은 교사들이 유학할 수 있었다.그러나 그녀는 기독교인이 아니었기 때문에 제외되었다.그래서 그녀는 디킨슨 대학에 입학하기 위해 지원했고 1931년 직장 동료 라롱 리의 도움으로 전액 장학금과 수학 학사 학위를 받았다.[citation needed]그 후 그녀는 펜실베니아 대학에서 솔리드 스테이트 물리학을 공부했다.1955년 그곳에서 고체물리학 박사학위를 받았으며, 100년 만에 중국인으로서는 처음으로 그곳에서 박사학위를 취득했다.그녀는 물리학이 수학에 비해 중국에 더 적용가능하고 더 유용하다고 생각했다.

경력

미국

래닝은 졸업 후 중국으로 돌아가고 싶었다.하지만 중국 정국은 좋지 않았다.그 당시 미국은 과학자들과 유학생들을 포함한 많은 기회를 가졌다.많은 중국 학생들은 송환이 허용되지 않았다.펜실베이니아대 교수의 추천을 통해 반도체를 주로 제조하는 실바니아 회사에서 수석 엔지니어로 일하기로 했다.당시 이 회사는 모노크리스탈린 실리콘 제조에 여러 차례 실패했었다.Laning은 문제를 발견했고 그 회사가 실리콘 기술을 성공적으로 설계하는 것을 도왔다.

중국

린이 미국에서 1년 동안 일한 후, 중국은 1956년 제네바 회의에서 국제 학생들을 대상으로 한 조약을 체결했다.1957년 1월 6일 린은 8년 만에 중국으로 돌아왔다.그녀가 탑승하기 직전, 연방 수사국은 그녀에게 접근하여 6,800달러의 해 수입을 보류하겠다고 위협하여 그녀가 머물도록 설득했다.린은 이것을 받아들고 배에 올랐다.[6]

그녀의 월급이 207RMB에 불과해 그녀의 가족은 가난하게 지냈다.그녀의 직장에는 돈이 거의 없었다.하지만 그녀는 결코 포기하지 않았다.1957년, 그녀의 일터인 Semiconductor CAS는 중국에서 처음으로 단결정 게르마늄을 만드는 것을 끝냈다.실바니아 컴퍼니에서의 경험 덕분에, 그녀는 단결정 실리콘을 만드는 과정을 알았다.하지만, 그녀는 다른 나라로부터의 금수 조치 때문에 장비를 받을 수 없었다.그녀는 이 과정을 바꿔 1958년 중국 최초의 단결정 실리콘을 만들었다.중국은 단결정 실리콘을 만든 세 번째 국가가 되었다.1962년에 그녀는 단결정 용광로를 설계했다.이 용광로는 많은 나라에 허가되었다.같은 해, 그녀는 중국에서 처음으로 단결정 갈륨 비소를 만들었다.린의 갈륨 비소는 그 때까지 가장 높은 이동성을 달성했다.

문화대혁명이 개입했다.1966년부터 1976년까지 중국의 수십억 명의 사람들이 이 때문에 고통을 겪었다.모든 교육자와 과학자들은 억압당했다.[citation needed]린은 조사를 할 수 없었고 당국의 감시 아래 그녀의 방에 머물러야 했다.린의 교육자 아버지는 젊은 사람들에게 폭행을 당하다가 사망했다.

이 비극에도 불구하고, 그녀는 문화 대혁명 이후 60세에 일했다.그녀는 기존 갈륨 비소의 탈구 밀도가 중력으로 인해 크고 사용하기에 충분하지 않다는 것을 발견하여 인공위성으로 실험을 하기로 결정했다.갈륨 비소의 녹는점이 섭씨 1,238도이기 때문에 이것은 위험한 실험이었다.하지만, 그녀는 성공적으로 마쳤고 세계 최초로 그렇게 했다.이러한 갈륨 비소화 작업 때문에 중국 정부는 2001년 그녀의 이름을 따서 갈륨 비소화 회사(중국어: 中科化社[7])로 명명했다.

78세의 나이로, 1996년에 그녀는 암 진단을 받았다.그녀는 중국 남부 지역에 반도체 기지를 건설하는 일을 해오고 있었다.진단을 받자 그녀는 "누군가가 10년을 더 줄 수 있을까?10년 안에 내가 하고 있는 일을 확실히 마칠 수 있고 후회 없이 죽을 수 있어!"그녀는 문화혁명으로 잃어버린 10년을 그 세월들이 상쇄하기를 원했다.2003년 3월 4일 오후 1시, 그녀는 사망했다.

성별 문제에 대한 의견

그녀는 일생 동안 여성으로서 어려움에 직면했다.미국에서 돌아온 후, 그녀는 전 중국 여성 연맹에 가입했다.[8]그녀는 많은 회의를 열고 성별 문제에 대해 이야기했다.여자로서 그녀는 결코 성역할을 받아들이지 않았고 항상 자신을 위해 싸웠다.그녀는 과학 분야에서는 여성과 남성이 평등하고 이 분야에 여성이 적은 이유는 여성이 험담과 같은 것에 더 쉽게 정신이 팔리기 때문에 여성은 관련 없는 것들을 더 많이 외워야 하고 일에 집중할 수 없기 때문이라고 믿었다.

개인적 관계

가족구성원

그녀의 가족은 20명 이상을 포함했다.그녀의 어머니와 아버지는 그녀에게 가장 큰 영향을 주었다.그녀의 아버지 지안화 리는 교육자였다.그는 젊었을 때 집에서 멀리 떨어져서 대학에서 공부했다.비록 래닝과 함께 지내지는 않았지만, 그는 종종 그녀에게 편지를 쓰고 그녀를 위해 몇 권의 책을 샀다.지안화는 라니잉을 학문에 끌어들였다.래닝의 어머니는 슈이셴 저우였는데, 온 가족을 관리해야 했기 때문에 터프한 여자였다.래닝은 그녀에게서 배우고 집요해졌다.비록 슈이시안은 전통적인 성역할에 깊은 영향을 받았지만, 그녀는 라니잉이 끈질긴 사람이 되도록 도왔기 때문에 라니잉은 그녀의 인생에서 많은 어려움을 극복할 수 있었다.래닝에게는 두 형제가 있었다.미국에서 돌아온 후, 그녀는 자신의 아이가 없었기 때문에 두 명의 조카를 기르는 것을 도왔다.

치창 관과 청린

린은 결혼하지 않았지만 두 남자를 사랑했다.[2]첫째는 치창관이었다.래닝과 치창은 같은 중학교의 다른 반에 있었다.졸업 후 치창은 부모님과 함께 다른 도시로 가서 헤어졌다.그러나 그들은 우편으로 관계를 계속했다.치창은 라니잉에게 결혼해서 중학교에서 교사로 일하고 싶다고 말했다.그러나 래닝은 더 야심적이었다.그들은 점차 서로에게 쓰는 것을 중단했다.17세 때 치창은 백혈병으로 사망했다.

그녀는 청린도 사랑했다.그들은 후쿠이엔 기독교 대학에서 만났다.그들은 같은 이해관계를 가지고 있었고 둘 다 야심적이었다.졸업 후 두 사람 모두 이 대학에 머물며 교사로 일했다.하지만, Laning은 더 많은 것을 배우고 싶어했고 미국으로 가기로 결정했기 때문에, 그들은 헤어졌다.청린은 린이 미국에 간 후 결혼했다.그들의 이야기는 소설 <제2의 악수>에서 전해져 왔다.[9]

귀속 및 명예

린은 많은 포럼에서 인정받았다.[3]

  • 1957: 중국에서 최초로 단결정 게르마늄(N형, P형)을 만들어 트랜지스터 라디오의 개발 기반을 마련했다.
  • 1958: 모노크리스탈린갈륨안티모네이드 만들기
  • 1958: 11월, 최초의 단결정 실리콘 제조
  • 1959: 모노크리스탈린 카드뮴 황화물 제조
  • 1960: 실리콘을 위한 광범위한 재료 제작
  • 1962: 중국 최초의 단결정 용해로 TDK 제작
  • 1962년: 중국에서 최초로 모노크리스탈린 실리콘을 만들었고, 아무런 오점도 없었다.
  • 1962: 최초의 모노크리스탈린 인듐 안티모니드 제조
  • 1962: 최초의 단결정 갈륨 비소 제조
  • 1963년: 중국에서 최초의 반도체 레이저 제작
  • 1963년: 고정화 실리콘 제조, 국가 과학기술 업적 2등상 수상
  • 1964년: 실리콘을 낮은 오점으로 만드는 과정을 설계하였고, 국가 과학기술 업적상 2등을 수상하였다.
  • 1974년: 악성코드가 없는 최초의 모노크리스탈린 갈륨 비소 제조
  • 1978: 과학기술분야 CAS 중요성과상 수상
  • 1981: 집적회로 제작 및 CAS 과학기술 중요성과상 수상
  • 1986: SOS-CMOS 집적회로 제작, 국가 과학기술 성과상 3등 수상
  • 1989: GaInAsSb/InP 광범한 자료에 대한 연구 및 국가 과학기술 업적 2등상 수상
  • 1989: 인공위성에 갈륨 비소를 녹이는 실험 성공, 국가 과학기술 업적 3등상 수상
  • 1990-1991: 국가 과학기술 업적 3등상 4회 수상
  • 1991: SOS-CMOS 통합 회로의 5개 회로를 사용하여 위성을 만들었다.
  • 1992: 모노크리스탈린인듐인산화물 만들기
  • 1998: 광대한 물질을 액화하여 효과적인 갈륨 비소 태양전지를 만들었다.
  • 1990-2000: SiC, GaN 소재 연구 주도 및 고온 소재 신성장 기술 제고

사회 활동

그녀의 사회활동은 다음과 같다.[3]

  • 1959: 소비에트 과학 아카데미에 가서 한 달 동안 일했다.
  • 1963년: 소비에트 모스크바에 가서 국제 반도체 회의에 참가함
  • 1963: 체코슬로바키아 프라하에 가서 국제 반도체 재료 콘퍼런스에 참가
  • 1971년: 중국 인민정치협상위원회 부위원장과 함께 태국 방문
  • 1972년: 엔라이 저우 총리와 여성 과학자 지안시옹 우와 만났다.
  • 1978: CAS에서 직장 동료들과 함께 프랑스와 독일을 방문하고 일본으로 건너가 박막 소재 국제 콘퍼런스에 참가
  • 1980년: 북한에 가서 프레젠테이션을 하고 김일성 주석과 만났다.
  • 1985년: 전국인민대표대회 대표단과 함께 미국 방문
  • 1986: 8월, 독일연방항공우주소재에 관한 과학 세미나에 참가함
  • 1987년 국제여성의원총회 참가
  • 1987: National Association for Science and Technology(National Association for Science and Technology)의 대표단과 함께 미국을 방문하여 미국과학진흥협회(AAAS)에 가입
  • 1988: 9월 27-30일 시카고에서 개최된 "세계 자료—공간 처리 회의"에 참가
  • 1988년 10월 3일-7일 이탈리아 리자스트에서 제3세계과학아카데미(TWAS)가 개최한 '제3세계 과학 발전에 미치는 여성의 영향' 컨퍼런스에 참가
  • 1989: 8월 20-26일, 미국 항공우주국(NASA)이 개최한 항공우주 물질 회의에 참가
  • 1989년 10월, 광린콩과 함께 미국에서 열린 제13차 무정형 반도체 국제회의에 참가
  • 1990: 스웨덴 방문 후 모스크바 주립 대학교 방문
  • 1994년 10월, 홍콩과학기술대학교 항공우주학과 갈륨 비소화물의 성장에 관한 보고서 작성
  • 1995년 중국 정부 대표단과 함께 제31회 유엔 세계여성회의 참가
  • 1996년 독일 브레멘에서 열린 우주연구위원회 회의 참가

정치 활동

린은 다양한 정치 활동에 참여했다.[3]

  • 1962년: 전중국청년연맹 부회장 취임
  • 1964년 12월, 제3차 전국인민대표대회 부대표 겸 전국인민대표대회 상무위원이 됨
  • 1975년 1월, 제4차 전국인민대표대회 부대표가 되었다.
  • 1978년 2월, 제5차 전국인민대표대회 부대표가 되었다.
  • 1978: 9월—1983년, 전 중국 여성 연맹(ACWF) 회원국이 되었다.
  • 1978년 중국 전자공학연구원(CIE) 위원 되기
  • 1979년 7월, 중국전자공업연구소(CIE) 상무이사 취임
  • 1980: 4월, 중국과학기술협회(CAST) 제2부회장 취임
  • 1981: 5월, 중국과학원(CAS) 기술부 상무이사 취임
  • 1982년 9월, 중국공산당(공산당)이 개최한 제12차 전국인민대표회의 대표자가 되었다.
  • 1983년 5월, 제6차 전국인민대표대회 부대표가 되다
  • 1986년 중국과학기술협회(CAST) 제3대 부회장 취임
  • 1988: 3월, 제7차 전국인민대표대회 부대표 겸 전국인민대표대회 상무위원이 됨
  • 1988년 중국전자공학연구원 명예이사 취임
  • 1991년 중국과학기술협회(CAST) 제4대 부회장 취임
  • 1993년 3월, 제8차 전국인민대표대회 부대표 겸 전국인민대표대회 상무위원이 됨
  • 1996: 마이크로중력 국립 키 연구소 소장이 됨

선택한 게시물

그녀의 많은 출판물 중에는 다음과 같은 것들이 있다.[10]

참고 항목

참조

  1. ^ a b Zheng, Guoxian (2005). Academician Lanying Lin. Beijing: Writer Press. ISBN 7-5063-3267-1.
  2. ^ a b c Guo, Kemi (1998). Chinese Female Academician. Beijing: Kunlun Press. ISBN 7-80040-313-0.
  3. ^ a b c d e He, Panguo (2014). Biography of Lin Lanying. Scientific Press. ISBN 9787030401250.
  4. ^ Lin, Wenxiu. "Old House of Run Lin and Lanying Lin". Fujian Normal University.
  5. ^ "Lanying Lin and Fukien Christian University". Fujian Christian university Website. Archived from the original on 2015-12-08. Retrieved 2015-10-11.
  6. ^ Tan, Jiang (2009-08-06). "Pioneer Lanyin Ling in Semiconductor field in China". People Internet.
  7. ^ "Beijing Zhongkejiaying Company". LED Internet.
  8. ^ Chen, Chen (1996). "Outstanding Woman in Science: Lanying Lin". Sciences of Xiameng (3): 5–6.
  9. ^ Zhang, Yang (2013-01-01). The Second Handshake (Comeback). Sichuang People Press. ISBN 9787220086380.
  10. ^ Lin, Lanying (1992). Selected Papers of Lanying Lin. Fujian: Fujian Scientific Press. ISBN 7533505913.
  11. ^ Chen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01). "Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching". Journal of Crystal Growth. 167 (3–4): 766–768. Bibcode:1996JCrGr.167..766C. doi:10.1016/0022-0248(96)00462-9.
  12. ^ Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01). "Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs". Journal of Crystal Growth. 173 (3–4): 325–329. Bibcode:1997JCrGr.173..325C. doi:10.1016/S0022-0248(96)00823-8.
  13. ^ Yang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26). "Interface roughness scattering in GaAs–AlGaAs modulation‐doped heterostructures". Applied Physics Letters. 65 (26): 3329–3331. doi:10.1063/1.112382. ISSN 0003-6951.
  14. ^ Zhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tao, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01). Regel, Liya L.; Wilcox, William R. (eds.). Growth of GaAs Single Crystals at High Gravity. Springer US. pp. 53–60. doi:10.1007/978-1-4615-2520-2_5. ISBN 978-1-4613-6073-5.
  15. ^ Lin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15). "Improvement of stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide grown under microgravity". Journal of Crystal Growth. 191 (3): 586–588. Bibcode:1998JCrGr.191..586L. doi:10.1016/S0022-0248(98)00372-8.
  16. ^ Chen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15). "Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors". Physical Review B. 54 (12): 8516–8521. Bibcode:1996PhRvB..54.8516C. doi:10.1103/PhysRevB.54.8516. PMID 9984526.
  17. ^ Yang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13). "Influence of DX centers in the AlxGa1−xAs barrier on the low‐temperature density and mobility of the two‐dimensional electron gas in GaAs/AlGaAs modulation‐doped heterostructure". Applied Physics Letters. 66 (11): 1406–1408. doi:10.1063/1.113216. ISSN 0003-6951.
  18. ^ Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29). "Influence of the semi‐insulating GaAs Schottky pad on the Schottky barrier in the active layer". Applied Physics Letters. 68 (18): 2550–2552. Bibcode:1996ApPhL..68.2550W. doi:10.1063/1.116180. ISSN 0003-6951.
  19. ^ Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01). "Backgating and light sensitivity in GaAs metal-semiconductor field effect transistors". Journal of Crystal Growth. 150, Part 2: 1270–1274. Bibcode:1995JCrGr.150.1270L. doi:10.1016/0022-0248(95)80143-Z.
  20. ^ Tian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. (1986). "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films". Solid State Communications. 57 (7): 543–544. Bibcode:1986SSCom..57..543T. doi:10.1016/0038-1098(86)90627-7.
  21. ^ Wang, Qi-Yuan; Ma, Zhen-Yu; Cai, Tian-Hai; Yu, Yuan-Huan; Lin, Lan-Ying (1999-01-01). "Neutron irradiation-infrared based measurement method for interstitial oxygen in heavily boron-doped silicon". Semiconductor Science and Technology. 14 (1): 74–76. Bibcode:1999SeScT..14...74W. doi:10.1088/0268-1242/14/1/010.
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