비잔 다바리

Bijan Davari
비잔 다바리
태어난1954
이란 테헤란
시민권미국인(구 이란인)
교육박사학위
공학 경력
규율컴퓨터 엔지니어링
기관RPI, IBM
고용주(들)IBM
프로젝트CMOS-5X, IBM RoadRunner,
현저한 진보CMOS, STI
수상IBM 펠로우, J J Ebers Award, IEEE Andrew S. Grove Award

비잔 다바리(Bijan Davari, 1954년 9월 16일 출생)는 이란계 미국인 엔지니어다. 그는 뉴욕 요크타운 Hts에 있는 IBM 토마스 J 왓슨 리서치 센터의 IBM 펠로우 겸 부사장이다. 반도체 소자의 소형화에 대한 그의 선구적인 업적은 컴퓨팅 세계를 변화시켰다.[1] 그의 연구는 IBM 메인프레임의 양극성 기술을 완전히 대체하고 새로운 고성능 UNIX 서버를 가능하게 할 수 있는 충분한 성능을 가진 전압 크기의 심층 서브마이크론 CMOS 1세대를 이끌었다. 그는 IBM이 경쟁사들보다 먼저 절연체에 구리와 실리콘을 사용하도록 이끈 공로를 인정받고 있다.[2] 미국 국립공학아카데미(National Academy of Engineering[3]) 소속으로 CMOS 기술 분야에 정석적인 공헌을 한 것으로 알려져 있다. 그는 IEEE 펠로우로 2005년[4] J J Ebers Award, 2010년 IEEE Andrew S. Grove Award를 수상하였다.[5] 현재 그는 차세대 시스템 분야의 연구를 이끌고 있다.

교육

비잔 다바리는 1954년 이란의 테헤란에서 태어났다.[6] 이란 테헤란 샤리프 공과대학에서 전기공학 학사, 렌셀라이어 폴리테크닉 연구소(RPI)에서 석사 학위를 받았다. 반도체 소자의 인터페이스 거동에 관한 논문과 함께 RPI에서 박사학위를 받았으며, 1984년 IBM 토마스 J 왓슨 연구소에 입사했다.

기술적 성과

IBM에서 다바리는 오늘날의 반도체 공정의 상당 부분을 뒷받침하는 [8]MOSFET(금속-산화물-반도체-전계효과 [7]트랜지스터)와 CMOS(복합금속-산화물-반도체) 기술을 개선하는 방안을 연구했다. 1985년에 다바리는 CMOS-5X라고 불리게 된 IBM의 차세대 CMOS 집적회로를 정의하는 작업을 시작했다. 그는 1세대 고성능, 저전압 심층 서브스크론 CMOS 기술을 생산한 연구 활동을 주도했다. CMOS-5X는 PowerPC® 601+ 및 IBM System/390 서버에서 사용되는 마이크로프로세서를 포함한 여러 개의 다른 마이크로프로세서의 기초가 되었다.[9]

Davari는 70nm의 시스템으로 산업의 CMOS 로드맵에 영향을 준 IBM의[10] 기술 및 전압 확장 로드맵을 정의했다. 이 기술은 서버, 휴대용 컴퓨터, 배터리 구동 핸드헬드 장치를 가능하게 하는 고성능, 저전압, 저전력 CMOS 기술을 몇 세대에 걸쳐 이끌어냈다.

다바리와 IBM의 그의 팀은 또한 첫 번째 얕은 참호 격리(STI) 과정을 시연했다.[11] STI는 반도체 소자 간 통합 회로 전류 누출을 방지하는 데 도움이 된다. STI 프로세스는 고성능 CMOS 로직을 위한 IBM의 0.5마이크로미터 기술 노드와 16메가비트 다이내믹 RAM에 처음 사용되었다. 그것은 결국 산업 전반에 걸쳐 널리 사용되었다.[12]

1987년 다바리는 텅스텐 게이트 기술을 이용해 게이트산화물 두께 10나노미터의 최초의 MOSFET를 시연하는 IBM 연구팀을 이끌었다.[7] 1988년에는 180nm~250nm 채널 길이의 고성능 듀얼게이트 CMOS 기기를 시연하는 IBM 팀을 이끌었다.[8][13]

다바리는 최초의 셀 기반 슈퍼컴퓨터인 IBM Roadrunner를 만드는 데 사용되었던 IBM의 셀 브로드밴드 엔진 분야의 리더 중 한 명이었다. 2008년 로드러너 슈퍼컴퓨터는 최초로 페타플롭 장벽을 깨뜨려 1.026페타플롭의 처리속도에 도달했다.[14][15]

선정상 및 영예우

참조

  1. ^ "Honor Roll: Bijan Davari". IT History Society.
  2. ^ "IBM Micro's reshuffle taps Davari for new position". EE Times. 6 August 2003.
  3. ^ "Citation for Bijan Davari".
  4. ^ IEEE. "List of J J Ebers Award winnders". IEEE. Archived from the original on 2013-01-09. Retrieved 2016-09-27.
  5. ^ IEEE. "Andrew Grove Award Winners List".
  6. ^ "Game Changers". IBM Systems Journal. Archived from the original on 2013-03-12. Retrieved 2016-09-27.
  7. ^ a b Davari, Bijan; Ting, Chung-Yu; Ahn, Kie Y.; Basavaiah, S.; Hu, Chao-Kun; Taur, Yuan; Wordeman, Matthew R.; Aboelfotoh, O. (1987). "Submicron Tungsten Gate MOSFET with 10 nm Gate Oxide". 1987 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: 61–62.
  8. ^ a b Davari, Bijan; et al. (1988). "A high-performance 0.25 micrometer CMOS technology". International Electron Devices Meeting. doi:10.1109/IEDM.1988.32749.
  9. ^ "Bijan Davari". Profile of Iranian Scientists.
  10. ^ Davari, Bijan; et al. (April 1995). "CMOS Scaling for High Performance and Low Power - the Next Ten Years" (PDF). Proceedings of the IEEE. 83 (4): 595–606. doi:10.1109/5.371968.
  11. ^ Davari, Bijan; et al. (1988). "A Variable-size Shallow Trench Isolation technology with diffused sidewall doping for submicron CMOS". IEDM.
  12. ^ "Bijan Davari, Strategic Technology Leader, to Receive 2010 IEEE Andrew S. Grove Award" (PDF). IEEE Press Release. 23 November 2010. Archived from the original (PDF) on 20 December 2016. Retrieved 28 September 2016.
  13. ^ Davari, Bijan; Wong, C. Y.; Sun, Jack Yuan-Chen; Taur, Yuan (December 1988). "Doping of n/sup +/ and p/sup +/ polysilicon in a dual-gate CMOS process". Technical Digest., International Electron Devices Meeting: 238–241. doi:10.1109/IEDM.1988.32800.
  14. ^ "List of top 500 SuperComputers". top500.org. June 2008.
  15. ^ IBM. "The Cell Broadband Engine". History of IBM. IBM.