충돌 폭포
Collision cascade충돌 캐스케이드(변위 캐스케이드 또는 변위 스파이크라고도 한다)는 고체 또는 액체에서 정력 입자에 의해 유도된 원자의 인접한 정력(일반 열 에너지보다 훨씬 높은) 충돌의 집합이다.[1][2]
충돌 계단식 내 최대 원자 또는 이온 에너지가 물질의 임계 변위 에너지(eVs 이상의 tens)보다 높을 경우, 충돌은 격자 부위에서 원자를 영구히 대체하고 결함을 발생시킬 수 있다. 초기 정력 원자는 입자 가속기에서 나오는 이온, 지나가는 고에너지 중성자, 전자 또는 광자에 의해 생성되는 원자 반동이 될 수도 있고, 방사성 핵이 원자에게 반동에너지를 줄 때 생성될 수도 있다.
충돌 폭포의 특성은 반동/들어오는 이온의 에너지와 질량, 물질의 밀도(정지력)에 따라 크게 달라질 수 있다.
선형 계단식
초기 반동/이온 질량이 낮고, 폭포가 발생하는 물질은 밀도가 낮을 때(즉, 반동 물질 조합은 정지력이 낮을 때), 초기 반동과 표본 원자의 충돌은 거의 발생하지 않으며, 원자 사이의 일련의 독립적 이항 충돌로 잘 이해할 수 있다. 이러한 종류의 계단식 폭포는 이항 충돌 근사치(BCA) 시뮬레이션 접근법을 사용하여 이론적으로 잘 처리될 수 있다. 예를 들어, 10 keV 미만의 에너지를 가진 H와 He 이온은 모든 물질에서 순전히 선형 계단식으로 이어질 것으로 예상된다.
가장 일반적으로 사용되는 BCA 코드 SRIM은[3] 1 GeV의 이온 에너지까지 모든 물질의 모든 이온에 대해 정렬되지 않은 물질의 선형 충돌 폭포를 시뮬레이션하는 데 사용될 수 있다. 단, SRIM은 전자 에너지 침적으로 인한 손상이나 흥분된 전자에 의해 발생하는 손상과 같은 효과를 치료하지 않는다는 점에 유의한다. 사용된 핵 및 전자 정지력은 평균적으로 실험에 적합하며 따라서 완벽히 정확하지도 않다. 전자 정지 동력은 이항 충돌 근사치[4] 또는 분자 역학(MD) 시뮬레이션에 쉽게 포함될 수 있다. MD 시뮬레이션에서 그것들은 마찰력 또는 전자 시스템의 난방을 따르고 전자와 원자 자유도를 결합함으로써 더 진보된 방식으로 포함될 수 있다.[13][14][15] 그러나 불확실성은 전자 정지 전력 또는 전자-폰 커플링의 적절한 저에너지 한계에 관한 것이다.[12][16]
선형 계단식에서는 샘플에서 생성된 반동 세트가 원래의 충돌 이후 얼마나 많은 충돌 단계가 지나갔는지에 따라 반동 생성의 순서에 따라 설명될 수 있다. 1차 노크-온 원자(PKA), 2차 노크-온 원자(SKA), 3차 노크-온 원자(TKA) 등이다. 모든 에너지가 노킹온 원자로 전달될 가능성은 극히 희박하기 때문에, 각 반동 원자의 세대는 평균적으로 이전보다 적은 에너지를 가지고 있으며, 결국 노킹원자의 에너지는 손상생산을 위한 임계 변위 에너지 아래로 가게 되는데, 이때 더 이상의 손상이 발생하지 않는다.
열 스파이크(열 스파이크)
이온이 충분히 무겁고 활력이 넘치고, 물질이 밀도가 높을 때, 이온들 사이의 충돌은 서로 독립적이라고 볼 수 없을 정도로 서로 가까이에서 일어날 수 있다. 이 경우 프로세스는 수십만 개의 원자와 수만 개의 원자 사이의 다체 상호작용의 복잡한 과정이 되며, BCA로는 처리할 수 없지만 분자역학 방법을 사용하여 모델링할 수 있다.[1][17]
전형적으로 열스파이크는 폭포 중심에 일시적인 저감각 지역이 형성되고, 그 주변에 과대감각 지역이 형성되는 것이 특징이다.[1][18] 폭포 이후 과대지역은 간간결함이 되고, 과소지역은 전형적으로 빈방이 되는 지역이 된다.
밀도 충돌 영역에 있는 원자의 운동 에너지를 온도(기본 방정식 E = 3/2·N·kTB 사용)로 다시 계산하면, 온도 단위의 운동 에너지가 초기에는 10,000 K의 순서임을 알게 된다. 이 때문에 이 지역은 매우 더운 것으로 간주될 수 있으며, 따라서 열 스파이크 또는 열 스파이크라고 불린다(보통 두 용어는 등가로 간주된다). 열 스파이크는 주변 온도까지 1–100 ps로 냉각되므로 이곳의 "온도"는 열역학적 평형 온도에 해당하지 않는다. 그러나 약 3개의 격자 진동 후 열 스파이크에 있는 원자의 운동 에너지 분포는 맥스웰-볼츠만 분포를 가지므로 [19]온도 개념의 사용이 어느 정도 정당화되는 것으로 나타났다. 게다가, 실험 결과 열 스파이크는 매우 높은 온도를 필요로 하는 것으로 알려진 위상 전환을 유도할 수 있다는 것을 보여주었고,[20] 이는 (비균형) 온도의 개념이 실제로 충돌 폭포를 설명하는 데 유용하다는 것을 보여준다.
많은 경우에 동일한 조사 조건은 선형 계단식 및 열 스파이크의 조합이다. 예를 들어, Cu를 폭격하는 10 MeV Cu 이온은 핵 정지 전력이 낮기 때문에 처음에는 선형 계단식 계통에서 격자로 이동한다. 그러나 일단 Cu 이온이 충분히 느려지면, 핵 정지 전력이 증가하여 열 스파이크가 생성될 것이다. 게다가, 들어오는 이온의 1차 및 2차 반동 중 다수는 keV 범위에 에너지를 가지고 있기 때문에 열 스파이크를 발생시킬 수 있다.
예를 들어 구리의 구리 조사의 경우 약 5–20 keV의 반동 에너지가 열 스파이크를 발생시킬 수 있다고 거의 보장된다.[21][22] 낮은 에너지에서는 폭포 에너지가 너무 낮아 액체 같은 영역을 생성하지 못한다. 훨씬 높은 에너지에서 Cu 이온은 처음에는 선형 계단식으로 이어질 가능성이 높지만, 반동으로 인해 초기 이온이 충분히 속도를 줄이면 열 스파이크가 발생할 수 있다. 개념 하위 캐스케이드 파괴 임계값 에너지는 물질의 반동이 하나의 밀도가 높은 열 스파이크를 생성하기 보다는 여러 개의 고립된 열 스파이크를 발생시킬 수 있는 에너지를 의미한다.
컴퓨터 시뮬레이션 기반의 열 스파이크 시스템에서의 충돌 폭포 애니메이션을 유튜브에서 볼 수 있다.[23]
급속 중이온 열 스파이크
빠른 중이온, 즉, 매우 강한 전자 정지에 의해 피해를 내는 MeV와 GeV 중이온도 강한 격자 가열과 일시적인 교란 원자의 영역으로 이어진다는 점에서 열 스파이크를[24][25] 발생시키는 것으로 간주할 수 있다. 그러나 적어도 손상의 초기 단계는 쿨롱 폭발 메커니즘 측면에서 더 잘 이해할 수 있을 것이다.[26] 가열 메커니즘이 무엇인지에 관계없이 절연체의 빠른 중이온은 일반적으로 밀도가 감소된 긴 원통형 손상 구역을[24][27] 형성하는 이온 트랙을 생성한다는 것이 잘 확립되어 있다.[28][29]
시간 척도
충돌 폭포의 특성을 이해하기 위해서는 관련 시간 규모를 아는 것이 매우 중요하다. 초기의 이온/레코일과 그 일차 및 저차 반동이 임계 변위 에너지보다 훨씬 높은 에너지를 가질 때, 캐스케이드의 탄도 단계는 일반적으로 0.1–0.5 ps이다. 열 스파이크가 형성되면 스파이크 온도가 기본적으로 주변 온도로 냉각될 때까지 약 1–100 ps 동안 생존할 수 있다.[30] 캐스케이드의 냉각은 격자 열전도율과 뜨거운 이온 서브시스템이 전자-폰 커플링을 통해 전자 열전도율을 통해 이루어진다. 불행하게도 열전자에서 온전한 결정구조로 열을 전달하는 상당히 잘 알려진 과정에는 동등하게 처리될 수 없기 때문에 열전자와 불순열 이온계로부터 전자-포논 결합의 속도는 잘 알려져 있지 않다.[31] 마지막으로, 결점이 형성되었을 때, 폭포의 이완 단계는 재료, 결점 이동 및 재결합 특성, 주변 온도에 따라 몇 ps에서 무한대로 지속될 수 있다.
영향들
피해생산
캐스케이드 내의 운동 에너지는 매우 높을 수 있기 때문에, 그것은 물질을 열역학적 평형 바깥으로 국소적으로 몰고 갈 수 있다. 일반적으로 이것은 결함 생산을 초래한다. 결함은 예를 들어 Frenkel 쌍, 순서 또는 순서 이탈된 탈구 루프, 쌓이는 결함 [32]또는 비정형 영역과 같은 점 결점이 될 수 있다.[33] 많은 물질에 대한 장기간 조사로 인해 완전한 무정형이 발생할 수 있으며, 이는 실리콘 칩의 이온 이식 도핑 중에 정기적으로 발생한다.[34]
결점 생성은 중성자가 물질의 기계적 특성을 서서히 저하시키는 핵분열 및 핵융합로나 레이저의 작동 속도를 높이기 위해 반도체 양자 우물 구조에 이온을 도입하는 등 유용하고 바람직한 재료 수정 효과와 같이 해로울 수 있다.[35] 또는 탄소 나노튜브를 강화한다.[36]
충돌 폭포의 특이한 특징은 최종 피해량이 열 급상승에 의해 처음 영향을 받은 원자의 수보다 훨씬 적을 수 있다는 것이다. 특히 순수 금속의 경우 열 스파이크 단계 이후의 최종 손상 생산은 스파이크에서 변위된 원자의 수보다 작은 크기의 순서가 될 수 있다.[1] 반면에, 반도체와 다른 공동 결합 물질에서 손상 생산은 보통 원자의 이탈 수와 유사하다.[1][22] 이온성 물질은 재조합된 손상 분율과 관련하여 금속이나 반도체처럼 동작할 수 있다.[37]
기타 결과
표면 근처의 충돌 폭포는 종종 가래침을 유발하는데, 이는 선형 스파이크와 열 스파이크 방식 둘 다에서 발생한다.[21] 표면 근처의 열 스파이크도 종종 분화구 형성을 초래한다.[38][39] 이 분화구는 원자의 액체 흐름에 의해 발생하지만 발사체의 크기가 대략 10만 원자를 넘으면 분화구 생성 메커니즘은 총알이나 소행성에 의해 생성된 거시적 분화구와 같은 메커니즘으로 전환된다.[40][41]
많은 원자가 폭포(cascade)에 의해 변위된다는 것은 이온이 일반적으로 열역학적으로 불변하는 물질에 대해서도 의도적으로 물질을 혼합하는 데 사용될 수 있다는 것을 의미한다. 이 효과는 이온 빔 혼합이라고 알려져 있다.[42]
조사의 비균형성은 또한 열역학적 평형에서 물질을 몰아내는데 사용될 수 있으며, 따라서 새로운 종류의 합금을 형성한다.[43]
참고 항목
참조
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외부 링크
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