에치 피트 밀도
Etch pit density에치 피트 밀도(EPD)는 반도체 웨이퍼의 품질을 측정하는 척도다.[1][2]
에칭
에치 용액은 결정 이탈 시 에치 속도가 증가하여 피트가 발생하는 웨이퍼 표면에 도포된다. GaAs의 경우 지르코늄 도가니에서 약 40분간 섭씨 450도에서 녹인 KOH를 사용한다. 구덩이의 밀도는 광학 대조 현미경 검사에 의해 결정될 수 있다. 실리콘 웨이퍼는 보통 밀도가 매우 낮은데 반해 반절연−2 GaAs 웨이퍼는 밀도가 10cm이다5−2.
게르마늄 검출기
고순도 게르마늄 검출기는 불순물을 줄이기 위해 Ge 결정을 탈구 밀도의 제어된 범위에서 재배할 것을 요구한다. 에치 피치 밀도 요건은 일반적으로 103~10cm4−2 범위 내에 있다.[citation needed]
표준
에치 피트 밀도는 DIN 50454-1 및 ASTM F 1404에 따라 결정할 수 있다.[3]
참조
- ^ Zhuang, D.; Edgar, J.H. (2005). "Wet etching of GaN, AlN, and SiC: a review". Materials Science and Engineering: R: Reports. 48 (1): 1–46. doi:10.1016/j.mser.2004.11.002. ISSN 0927-796X.
- ^ Klaus Graff (8 March 2013). Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication. Springer Science & Business Media. pp. 152–. ISBN 978-3-642-97593-6.
- ^ J. Doneker; I. Rechenberg (1 January 1998). Defect Recognition and Image Processing in Semiconductors 1997: Proceedings of the seventh conference on Defect Recognition and Image Processing, Berlin, September 1997. CRC Press. pp. 248–. ISBN 978-0-7503-0500-6.
