메모리 레이텐시

Memory latency
30핀 SIMM 모듈에서는 70ns의 지연을 가진1 메가비트 DRAM최신 DDR4 DIMM은 지연 [1]시간이 15ns 미만입니다.

메모리 레이텐시는, 메모리내의 바이트 또는 워드의 요구를 개시하고 나서, 프로세서에 의해서 취득될 때까지의 시간(레이텐시)입니다.데이터가 프로세서의 캐시에 없는 경우 프로세서가 외부 메모리 셀과 통신해야 하므로 데이터를 얻는 데 시간이 오래 걸립니다.따라서 지연 시간은 메모리 속도를 측정하는 기본 척도입니다. 지연 시간이 짧을수록 읽기 작업이 빨라집니다.

지연 시간은 메모리의 throughput을 측정하는 메모리 대역폭과 혼동해서는 안 됩니다.지연은 클럭사이클 또는 나노초로 측정되는 시간으로 표시할 수 있습니다.시간이 지남에 따라 클럭 사이클로 표시되는 메모리 지연은 상당히 안정되어 왔지만 시간이 [1]지남에 따라 개선되었습니다.

「 」를 참조해 주세요.

레퍼런스

  1. ^ a b 중요한 테크놀로지, "속도 vs.레이텐시:CAS 레이텐시가 메모리의 퍼포먼스를 정확하게 측정할 수 없는 이유[ 1 ]

외부 링크