거친 표면에서 산란

Scattering from rough surfaces

표면 거칠기 산란 또는 접점 거칠기 산란은 서로 다른 두 물질 사이의 불완전한 인터페이스에 의해 충전된 입자의 탄성 산란이다. 그것은 전기장 효과 트랜지스터양자 캐스케이드 레이저와 같이 좁은 층을 포함하는 전자 소자에서 중요한 효과다.[1]

설명

양자 우물에서 충전된 입자의 에너지는 그것의 두께에 의해 강하게 영향을 받는다.

인터페이스 거칠기 산란은 전하 캐리어를 위한 에너지가 인터페이스의 위치에 의해 결정되는 제한된 시스템에서 가장 눈에 띈다. 그러한 시스템의 한 예는 다른 반도체 층의 샌드위치로 만들어질 수도 있는 양자 우물이다. 따라서 이러한 층의 두께의 변화는 입자의 에너지를 층 내의 평면 위치에 의존하게 한다.[2] 거칠기 ( ) 은 미시적인 척도로 복잡한 방식으로 다르지만, 높이 }과 상관관계 길이 특징지어지는 가우스 분포[3] 나타낸다고 볼 수 있다.

메모들

  1. ^ Valavanis, A.; Ikonić, Z.; Kelsall, R. W. (2008), "Intersubband carrier scattering in n- and p−Si/SiGe quantum wells with diffuse interfaces", Physical Review B, 77 (7): 075312, arXiv:0908.0552, Bibcode:2008PhRvB..77g5312V, doi:10.1103/PhysRevB.77.075312
  2. ^ Prange, R. E.; Nee, Tsu-Wei (1968), "Quantum Spectroscopy of the Low-Field Oscillations in the Surface Impedance", Physical Review, 168 (3): 779–786, Bibcode:1968PhRv..168..779P, doi:10.1103/PhysRev.168.779
  3. ^ Sakaki, H.; Noda, T.; Hirakawa, K.; Tanaka, M.; Matsusue, T. (1987), "Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells", Applied Physics Letters, 51 (23): 1934–1936, Bibcode:1987ApPhL..51.1934S, doi:10.1063/1.98305