10 µm 공정
10 µm process| 반도체 장치 날조 |
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| MOSFET 스케일링 (프로세스 노드) |
| 미래.
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10 μm 공정(10 micron 최소 치수)은 1971년경 [1][2]RCA, 인텔 등 유수의 반도체 기업들이 상업적으로 도달한 MOSFET 반도체 공정 기술 수준입니다.
10 μm 제조 공정을 특징으로 하는 제품
- RCA의 CD4000 계열의 집적회로는 1968년에 20μm 공정으로 시작하여 점차 다운스케일링되어 다음 몇 년 동안 10μm에 도달했습니다.[3]
- 1970년 출시된 초기 DRAM 칩인 인텔 1103은 8μm 공정을 사용했습니다.[4]
- 1971년 출시된 인텔 4004 CPU는 10μm 공정을 이용하여 제작되었습니다.[5]
- 1972년 출시된 인텔 8008 CPU는 이 공정을 이용하여 제조되었습니다.[5]
참고문헌
- ^ Mueller, S (21 July 2006). "Microprocessors from 1971 to the Present". informIT. Retrieved 11 May 2012.
- ^ Myslewski, R (15 November 2011). "Happy 40th birthday, Intel 4004!". TheRegister. Archived from the original on 19 April 2015. Retrieved 19 April 2015.
- ^ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. p. 330. ISBN 9783540342588.
- ^ Lojek, Bo (2007). History of Semiconductor Engineering. Springer Science & Business Media. pp. 362–363. ISBN 9783540342588.
The i1103 was manufactured on a 6-mask silicon-gate P-MOS process with 8 μm minimum features. The resulting product had a 2,400 μm, 2 memory cell size, a die size just under 10 mm2, and sold for around $21.
- ^ a b "History of the Intel Microprocessor - Listoid". Archived from the original on 27 April 2015. Retrieved 19 April 2015.
외부 링크
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