게이트 등가물

Gate equivalent

게이트 등가(GE)는 디지털 전자회로의 제조 기술에 의존하지 않는 복잡성을 특정할 수 있는 측정단위를 의미합니다.오늘날의 CMOS 기술의 경우, 2입력 드라이브 강도 1 NAND 게이트의 실리콘 영역은 일반적으로 게이트 등가라고 불리는 기술에 의존하는 단위 영역을 구성합니다.특정 회로에 대한 게이트 등가 사양은 복잡도 척도를 반영하고 있으며, 이 복잡도 척도는 전용 제조 기술에 대해 대응하는 실리콘 영역을 추론할 수 있다.

디지털 회로 설계에서는 각 제조 기술(예를 들어 CMOS)에 전용 표준 셀 라이브러리를 사용합니다.표준 셀 라이브러리는 NAND 게이트와 같은 다양한 논리 게이트로 구성됩니다.논리 게이트의 각 논리 유형(예: 2입력 NAND)에 대해 표준 셀 라이브러리에는 일반적으로 다른 물리적 실현이 존재합니다. 예를 들어 출력 드라이브 강도가 다릅니다.

기본적으로 CMOS 기술의 2입력 드라이브 강도 1 낸드 게이트는 4개의 트랜지스터로 구성됩니다.

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