기억 기하학

Memory geometry

현대 컴퓨터의 설계에서 메모리 기하학은 랜덤 액세스 메모리의 내부 구조를 설명한다. 구형 메모리 컨트롤러가 후기 제품과 호환되지 않을 수 있기 때문에 메모리 형상은 컴퓨터를 업그레이드한 소비자에게 중요하다. 메모리 기하학 용어는 겹치는 용어의 수 때문에 혼동될 수 있다.

메모리 시스템의 기하학은 다차원 배열이라고 생각할 수 있다. 각 차원은 고유한 특성과 물리적 깨달음을 가지고 있다. 예를 들어 메모리 모듈의 데이터 핀 수는 1차원이다.

물리적 특징

Top L-R, DDR2 DIMM(열간격기 포함), DDR2 DIMM(열간격기 미포함), SO-DIMM DDR2, DDR, SO-DIMM DDR

메모리 기하학은 RAM 모듈의 논리적 구성을 설명하지만, 소비자들은 항상 물리적 구성을 파악하는 것이 가장 쉽다는 것을 알게 될 것이다. 메모리 형상을 둘러싼 많은 혼란은 물리적 구성이 논리적 구성을 난독하게 할 때 발생한다. RAM의 첫 번째 정의 특징은 폼 팩터다. RAM 모듈은 노트북, 프린터, 임베디드 컴퓨터 및 소형 폼 팩터 컴퓨터와 같은 공간에 제약이 있는 애플리케이션을 위한 소형 SO-DIMM 형식과 대부분의 데스크탑에서 사용되는 DIMM 형식일 수 있다.[citation needed]

신체검사에 의해 결정되는 다른 물리적 특성은 메모리 칩의 수, 그리고 메모리 "스틱"의 양쪽이 모두 채워져 있는지 여부다. RAM 칩의 개수가 일정 전력 2개에 해당하는 모듈은 메모리 오류 감지나 수정을 지원하지 않는다. RAM 칩이 추가로 있을 경우(두 파워 사이) ECC에 사용된다.[1]

RAM 모듈은 측면과 모듈 하단을 따라 들여쓰기에 의해 '키'된다. 이는 예를 들어 DDR2 또는 DDR3 및 데스크톱 또는 서버에 적합한지 여부를 비롯한 모듈의 기술 및 분류를 지정한다. 키잉은 시스템에 부정확한 모듈을 설치하기 어렵게 하기 위해 설계되었다(그러나 키에 구현된 것보다 더 많은 요구사항이 있다). 모듈의 키잉이 점유하고자 하는 슬롯의 키와 일치하는지 확인하는 것이 중요하다.[citation needed]

모듈의 추가 비메모리 칩은 서버용 대용량 메모리 시스템을 위해 설계되었으며[by whom?], 모듈이 대중 시장 시스템과 호환되지 않을 수 있다는 표시일 수 있다.[citation needed]

이 글의 다음 섹션은 시스템의 모든 입력된 슬롯에 걸쳐 있는 논리적 구조를 다루는 논리 구조를 다루게 될 것이므로, 슬롯 자체의 물리적 특징이 중요해진다. 마더보드의 설명서를 참조하거나 보드의 라벨을 읽음으로써 슬롯의 기본 논리 구조를 결정할 수 있다. 슬롯이 둘 이상일 경우 번호가 매겨지고 채널이 둘 이상일 경우 다른 슬롯도 대개 컬러 코딩 방식으로 분리된다.[citation needed]

논리 기능

1990년대에는 각각의 메모리 컨트롤러를 가지고 있던 두 대의 컴퓨터가 소프트웨어가 실행될 정도로 낮은 수준에서 네트워크로 연결될 수 있는 특수한 컴퓨터가 출시되었다[which?][citation needed].[clarification needed] AMD의 Opteron 출시와 인텔의 대응 CPU로, 하나의 시스템에서 둘 이상의 메모리 컨트롤러를 공유하는 시스템은 둘 이상의 공통 데스크톱의 파워를 필요로 하는 애플리케이션에서 일반화되었다. 이러한 시스템 체계에는 통일되지 않은 메모리 아키텍처가 사용된다.[citation needed]

채널은 로컬 메모리 컨트롤러 수준에서 가장 높은 수준의 구조물이다. 현대의 컴퓨터는 두 개, 세 개 또는 그 이상의 채널을 가질 수 있다. 일반적으로 한 채널의 각 모듈에 대해 다른 채널의 동일한 위치에 논리적으로 동일한 모듈이 있는 것이 중요하다.[citation needed]

모듈 용량은 바이트로 측정되는 모듈의 총 공간, 즉 보다 일반적으로 말이다. 모듈 용량은 순위 수와 순위 밀도의 산물과 같으며, 순위 밀도는 순위 깊이와 순위 폭의 산물이다.[2] 이 규격을 표현하는 표준 형식은 (순위 깊이) Mbit × (순위 폭) × (순위 수)이다.[citation needed]

등급은 동일한 주소와 데이터 버스를 공유하는 메모리 모듈의 서브 유니트로, 낮은 레벨의 어드레싱에서 칩 선택(CS)에 의해 선택된다. 예를 들어, 각 칩이 8비트 폭의 데이터 버스를 가지고 있는 양쪽에 8개의 칩이 있는 메모리 모듈은, 만약 우리가 64비트 폭의 순위를 정의한다면, 총 2개의 등급에 대해 각 면마다 1개의 순위를 가질 것이다. 마이크론 테크놀로지 MT47H128M16 칩과 128Mib × 16 칩으로 구성된 모듈로 128Mi 메모리 깊이와 16비트 폭의 데이터 버스를 의미한다. 모듈 양쪽에 이러한 칩이 8개씩 있으면 총 16개 칩 × 16비트 폭의 데이터 = 256비트 폭의 데이터가 있을 것이다. 64비트 와이드 메모리 데이터 인터페이스의 경우, 이는 2비트 칩 선택 신호로 각 순위를 선택할 수 있는 4개의 순위를 갖는 것과 같다. Intel 945 칩셋과 같은 메모리 컨트롤러에는 "×8 및 ×16 장치에 대한 256-Mib, 512-Mib 및 1-Gib DDR2 기술", "최대 512-Mibit 밀도 DDR2 장치에 대한 4등급", "1-Gibit DDR2 장치에 대한 8등급" 등 지원하는 구성이 나열되어 있다. 예를 들어, 각 모듈의 용량이 1GiB인 4개의 Kingston KHX6400D2/1G 메모리 모듈이 있는 i945 메모리 컨트롤러를 예로 들어보자.[3] 킹스턴은 각 모듈이 16개의 "64M×8비트" 칩으로 구성되어 있으며 각 칩은 8비트 폭의 데이터 버스를 갖추고 있다고 설명했다. 16 × 8은 128과 같으므로, 각 모듈에는 각각 64비트의 두 가지 등급이 있다. 그래서 MCH의 관점에서 보면 4개의 1GB 모듈이 있다. 더 높은 논리 수준에서 MCH는 또한 각각 4개의 순위를 가진 두 개의 채널을 본다.

이와는 대조적으로, 은행은 논리적 관점에서 순위별로 유사하지만 물리적 하드웨어에서는 상당히 다르게 구현된다. 은행은 단일 메모리 칩 내부에 서브 유니트가 있는 반면, 순위는 모듈의 칩 서브셋으로 구성된 서브 유니트가 된다. 칩 선택과 마찬가지로 뱅크 선택 비트는 메모리 인터페이스의 일부인 뱅크 선택 비트에 의해 선택된다.[citation needed]

조직 계층

메모리 칩

메모리 기하학에서 다루는 가장 낮은 형태의 조직으로, 때로는 "메모리 장치"라고도 불린다. 각 모듈 또는 RAM의 모듈을 구성하는 구성 요소 IC이다. 칩의 가장 중요한 측정은 칩의 밀도로, 비트 단위로 측정된다. 메모리 버스 폭은 대개 칩의 수보다 크기 때문에 대부분의 칩은 폭(width)을 갖도록 설계되어 있어 내부적으로 동일한 부품으로 나누어져 있으며, 하나의 어드레스 "깊이"를 불러올 때 하나의 값만 반환하는 것이 아니라 둘 이상의 값이 반환된다. 깊이 외에도 칩 레벨인 뱅크에서 두 번째 주소 지정 차원이 추가되었다. 은행들은 한 은행을 이용할 수 있도록 허용하는 반면, 다른 은행은 신선하기 때문에 이용할 수 없다.[citation needed]

메모리 모듈

모듈의 일부 측정은 크기, 너비, 속도 및 지연 시간이다. 메모리 모듈은 원하는 모듈 폭과 동일한 메모리 칩의 여러 개로 구성된다. 그래서 32비트 SIMM 모듈은 4개의 8비트 와이드(×8) 칩으로 구성될 수 있었다. 메모리 채널 부분에서 언급했듯이, 하나의 물리적 모듈은 하나 이상의 논리적인 순위로 구성될 수 있다. 32비트 SIMM이 8개의 8비트 칩으로 구성되었다면 SIMM은 두 개의 순위를 가질 것이다.[citation needed]

메모리 채널

메모리 채널은 대열로 이루어져 있다. 물리적으로 메모리 모듈이 하나만 있는 메모리 채널은 하나 이상의 논리적 순위를 갖는 것으로 나타날 수 있다.[citation needed]

통제관 조직

이것이 가장 높은 수준이다. 일반적인 컴퓨터에는 채널이 한두 개밖에 없는 단일 메모리 컨트롤러만 있다. 논리적 기능 섹션에서는 메모리 컨트롤러 네트워크 형태를 취할 수 있는 NUMA 구성을 설명하였다. 예를 들어, 2-소켓 AMD K8의 각 소켓은 2채널 메모리 컨트롤러를 가질 수 있어 시스템에 총 4개의 메모리 채널을 제공할 수 있다.

메모리 지오메트리 표기법

메모리 지오메트리를 지정하는 다양한 방법들을 접할 수 있으며, 다양한 유형의 정보를 제공한다.

모듈

(메모리 깊이) × (메모리 폭)

메모리 폭은 메모리 모듈 인터페이스의 데이터 폭을 비트 단위로 지정한다. 예를 들어, 64비트 데이터 너비는 SDR 및 DDR1–4 RAM 제품군에서 흔히 볼 수 있는 비 ECC DIMM에서 확인할 수 있다. 너비 72의 메모리는 오류 수정 코드 증후군을 위해 데이터 너비에 8비트가 추가되는 ECC 모듈을 나타낼 것이다. (ECC 신드롬은 단일 비트 오류를 수정할 수 있도록 한다.) 메모리 깊이는 비트 단위의 총 메모리 용량을 비패리티 메모리 너비로 나눈 값이다. 때때로 메모리 깊이는 32×64 또는 64×64와 같이 Meg(220) 단위로 표시되며 각각 32Mi 깊이와 64Mi 깊이를 나타낸다.

작은 조각

(메모리 밀도)

이것은 칩의 총 메모리 용량이다. 예: 128 Mib.

(메모리 깊이) × (메모리 폭)

메모리 깊이는 메모리 밀도를 메모리 너비로 나눈 값이다. 예: 128Mib 용량과 8비트 와이드 데이터 버스의 메모리 칩의 경우 16Meg × 8로 지정할 수 있다. 16×8과 같이 "Mi"가 삭제되는 경우도 있다.

(뱅크당 메모리 깊이) × (메모리 폭) × (뱅크 수)

예: 위와 같은 용량과 메모리 폭을 가지지만 4개의 뱅크로 구성된 칩은 4 Mi × 8 × 4로 지정된다.

참고 항목

참조

  1. ^ "A Quick Guide to Memory Rank". Integrity Global Solutions. Retrieved 2018-09-28.
  2. ^ Ultimate Memory Guide (PDF), Kingston, 2007, archived from the original (PDF) on 2011-07-13.
  3. ^ https://www.kingston.com/datasheets/KHX6400D2_1G.pdf

외부의